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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED概念片制作工厂,因制作历程中应用砷化镓、电镀锌铟等III-V族单质,废泥里含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等血本属,的设计补救整体规模1200吨/日。 污水成分表及源 MOCVD设施设备清洁生产废水 :含三级甲等医院基镉、三级甲等医院基铟等生物碳金屬有机化合物 切磨研生活污水 :含奈米级金属件粉末 镀膜电镀废水 :含铜、镍等金属材料化合物 补救技术工作流程 的创新通过"阳极氧化破络+血本属捕集器+膜剥离 "组合名字工艺设计: 预外理单位 :加药系统亚硫酸氢钠分解的有机肥料彩石络合物 中心处置单园 : 采用DTCR血本属收集剂达成不溶解性螯合物 反渗透膜操作系统(UF)公款私存大原子环保问题物 反覆盖(RO)脱盐率>98% 活性污泥治理模快 :离心式脱水情况后交付给危险废物工作核心代理 进而的效果 经其承包方查重: 总砷含水量:0.05mg/L(标准0.5mg/L) 镉成分:0.01mg/L(执行标准0.1mg/L) 水回收率:75% 操作资金:3.8元/吨水

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